Effects of discrete quantum levels on electron transport in silicon single-electron transistors with an ultra-small quantum dot

被引：0

作者：

Saitoh, Masumi ^{[1
]}

Hiamoto, Toshiro ^{[1
,2
]}

机构：

[1] Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Japan

[2] VLSI Design and Education Center, University of Tokyo, Japan

来源：

IEICE Transactions on Electronics | 2001年 / E84-C卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

14

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