未找到相关数据
Design consideration of emitter-base junction structure for InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor
被引：0
作者：
Natl Cheng-Kung Univ, Tainan, Taiwan
[1
]
机构：
来源：
Conf Optoelectron Microelectron Mater Dev Proc COMMAD
|
/
246-248期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
12
引用
收藏
相关论文