Epitaxial praseodymium oxide: A new high-k dielectric

被引：0

作者：

Osten, H.J. ^{[1
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Bugiel, E. ^{[1
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Dabrowski, J. ^{[1
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Fissel, A. ^{[1
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Guminskaya, T. ^{[1
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Liu, J.P. ^{[1
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Müssig, H.J. ^{[1
]}

Zaumseil, P. ^{[1
]}

机构：

[1] IHP, Im Technologiepark 25, Frankfurt(Oder),D-15236, Germany

来源：

Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator, IWGI 2001 | 2001年

关键词：

Compendex;

D O I：

967555

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Interfaces (materials) - Leakage currents - High-k dielectric

引用

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