Photoluminescence and x-ray diffraction studies of MBE-grown compressively strained InGaAs and InGaAlAs quantum wells for 1.55 μm laser diode applications

被引:0
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作者
机构
[1] Choi, Woo-Young
[2] Fonstad, Clifton G.
来源
Choi, Woo-Young | 1600年 / 127期
关键词
Compressively strained quantum wells - Indium gallium aluminum arsenides - Indium gallium arsenides - X ray diffraction;
D O I
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