Selectively disorder activated Raman scattering in silicon films

被引:0
作者
Bandet, Jacqueline [1 ]
Frandon, Jean [1 ]
Fabre, Francois [1 ]
De Mauduit, Bernadette [1 ]
机构
[1] Universite Paul Sabatier, Toulouse, France
来源
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1993年 / 32卷 / 04期
关键词
Semiconducting silicon;
D O I
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页码:1518 / 1522
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