Neutron irradiation induced defects in low free carrier concentration epitaxially grown n-GaAs

被引：0

作者：

Auret, F.Danie ^{[1
]}

Goodman, Stewart A. ^{[1
]}

Wilson, Albertus ^{[1
]}

Myburg, Gerrit ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Pretoria, Pretoria, South Africa

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1994年 / 33卷 / 5 A期

关键词：

Semiconducting gallium arsenide;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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