Polycrystalline carbon: A novel material for gate electrodes in MOS technology

被引：0

作者：

Raghavan, G. ^{[1
]}

Hoyt, J.L. ^{[1
]}

Gibbons, J.F. ^{[1
]}

机构：

[1] Stanford Univ, Stanford, United States

来源：

| 1600年 / 32期

关键词：

D O I：

暂无

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