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High-temperature passive oxidation of chemically vapor deposited silicon carbide
被引：0
作者：
机构：
[1] Narushima, Takayuki
[2] Goto, Takashi
[3] Hirai, Toshio
来源：
Narushima, Takayuki
|
1600年
/
72期
关键词：
Silicon Carbide;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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