Velocity overshoot in a modulation doped Si/Si1-xGex structure

被引：0

作者：

Yamada, Toshishige ^{[1
]}

Miyata, H. ^{[1
]}

Zhou, Jing-Rong ^{[1
]}

Ferry, D.K. ^{[1
]}

机构：

[1] Arizona State Univ, Tempe, United States

来源：

关键词：

Modulation doped device - Numerical simulation - Silicon germanium substrates - Transconductance - Velocity overshoot;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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