In situ and ex situ ellipsometry comparison of the interfaces of Si and GaAs resulting from thermal and plasma oxidation

被引：0

作者：

Lefebvre, P.R. ^{[1
]}

Zhao, C. ^{[1
]}

Irene, E.A. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of North Carolina at Chapel, Hill, Chapel Hill, United States

来源：

Thin Solid Films | 1998年 / 313-314卷 / 1-2期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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