Reduction of phosphorus transient enhanced diffusion due to extended defects in ion implanted silicon

被引：0

作者：

Servidori, M. ^{[1
]}

Cembali, F. ^{[1
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Fabbri, R. ^{[1
]}

Gabilli, E. ^{[1
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Negrini, P. ^{[1
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Solmi, S. ^{[1
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Zaumseil, P. ^{[1
]}

Winter, U. ^{[1
]}

Anderle, M. ^{[1
]}

Canteri, R. ^{[1
]}

机构：

[1] CNR, Italy

来源：

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms | 1989年 / B39卷 / 1-4期

关键词：

9;

D O I：

暂无

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