MILLIMETER-WAVE LOW-NOISE HEMT'S.

被引：0

作者：

Duh, K.H.G. ^{[1
]}

Chao, P.C. ^{[1
]}

Smith, P.M. ^{[1
]}

Lester, L.F. ^{[1
]}

Lee, B.R. ^{[1
]}

Hwang, J.C.M. ^{[1
]}

机构：

[1] GE, Syracuse, NY, USA, GE, Syracuse, NY, USA

来源：

| 1838年 / ED-33期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

TRANSISTORS, FIELD EFFECT

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