Effect of various interlayers on epiwafer bowing in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structures

被引：0

作者：

机构：

[1] [1,Sakai, Masahiro

[2] Egawa, Takashi

[3] Hao, Maosheng

[4] Ishikawa, Hiroyasu

来源：

Sakai, M. (m-sakai@ngk.co.jp) | 1600年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 43期

关键词：

D O I：

暂无

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