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Layer-by-layer growth of AlN and GaN by molecular beam epitaxy
被引：0
作者：
SP2M/PSC, CEA Grenoble, Grenoble, France
[1
]
机构：
来源：
J Cryst Growth
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1-2卷
/
1-5期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
5
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