New poly-Si thin film transistors with partial amorphous Si channel

被引：0

作者：

Choi, Kwon-Young ^{[1
]}

Park, Kee-Chan ^{[1
]}

Choi, Hyoung-Bae ^{[1
]}

Han, Min-Koo ^{[1
]}

机构：

[1] Seoul Natl Univ, Seoul, Korea, Republic of

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1998年 / 37卷 / 4 A期

关键词：

Amorphous silicon - Annealing - Electric resistance - Laser applications - Leakage currents - Semiconducting silicon - Semiconductor device manufacture;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1727 / 1729