PROPERTIES OF A JOSEPHSON CONTACT IN A WIDE-BAND EXTERNAL SYSTEM.

被引：0
作者：
Zavaleyev, V.P.
Likharev, K.K.
机构：
来源：
| 1978年 / 23卷 / 05期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SUPERCONDUCTING DEVICES
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共 41 条
  • [41] Thermoelectric properties of the 3C, 2H, 4H, and 6H polytypes of the wide-band-gap semiconductors SiC, GaN, and ZnO
    Department of Physics, Institute of Theoretical Physics and Astrophysics, Xiamen University, Xiamen
    361005, China
    不详
    361005, China
    不详
    50450, Malaysia
    [J]. AIP Adv., 9
12345