Raman and photoluminescence studies on thermally annealed porous silicon

被引：0

作者：

机构：

[1] Roy, Anushree

[2] Jayaram, K.

[3] Sood, A.K.

来源：

Roy, Anushree | 1600年 / Publ by Pergamon Press Inc, Tarrytown, NY, United States卷 / 89期

关键词：

Phonon confinement model - Quantum confinement model - Thermally annealed porous silicon;

D O I：

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