Structure and interfacial stability of (111)-oriented InAsSb/InAs strained-layer multiquantum well structures

被引：0

作者：

Theiring, Scott C.

Pillai, Manoj R.

Barnett, Scott A.

Wessels, Bruce W.

机构：

来源：

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena | 1997年 / 15卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用