Schottky barrier ultraviolet photodetectors on epitaxial lateral overgrown GaN

被引：0

作者：

Depto. de Ing. Electrónica, ETSI Telecomunicación, Univ. Politécnica de Madrid, E-28040 Madrid, Spain ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

Phys Status Solidi A | / 1卷 / 141-145期

关键词：

D O I：

暂无

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