DEVELOPMENT OF A SILICON NITRIDE MASK TECHNOLOGY FOR SYNCHROTRON RADIATION X-RAY LITHOGRAPHY.

被引：0

作者：

Visser, C.C.G. ^{[1
]}

Uglow, J.E. ^{[1
]}

Burns, D.W. ^{[1
]}

Wells, G. ^{[1
]}

Redaelli, R. ^{[1
]}

Cerrina, F. ^{[1
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Guckel, H. ^{[1
]}

机构：

[1] Wisconsin Cent for X-ray, Lithography, Madison, WI, USA, Wisconsin Cent for X-ray Lithography, Madison, WI, USA

来源：

Nuclear instruments and methods in physics research | 1987年 / A266卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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