InAs quantum dots and dashes grown on (100), (211)B, and (311)B GaAs substrates

被引：0

作者：

Guo, S.P.

Shen, A.

Ohno, Y.

Ohno, H.

机构：

[1] Lab. for Electron. Intelligent Syst., Res. Inst. of Elec. Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-77, Japan

[2] Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China

[3] Inst. for Microstructural Sciences, National Research Council, Ottawa, Ont. K1A OR6, Canada

来源：

Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures | 1998年 / 2卷 / 1-4期

基金：

日本学术振兴会;

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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