Atomic layer doping of SiGe

被引：0

作者：

Tillack, B. ^{[1
]}

机构：

[1] Institute for Semiconductor Physics, IHP, Walter-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt, Oder, Germany

来源：

Journal De Physique. IV : JP | 1999年 / 9 pt 1卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

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引用

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