P-type doping effects on band-gap energy for Ga0.5In0.5P grown by metalorganic vapor phase epitaxy

被引：0

作者：

Suzuki, Tohru ^{[1
]}

Gomyo, Akiko ^{[1
]}

Hino, Isao ^{[1
]}

Kobayashi, Kenichi ^{[1
]}

Kawata, Seiji ^{[1
]}

Iijima, Sumio ^{[1
]}

机构：

[1] NEC, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1988年 / 27卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用