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All-solid-source molecular beam epitaxy for growth of III-V compound semiconductors
被引：0
作者：
Tampere Univ of Technology, Tampere, Finland
[1
]
机构：
来源：
Thin Solid Films
|
/
2卷
/
237-243期
关键词：
This work was supported;
i n part;
by The Development Centre of Technology (TEKES) and The Academy of Finland;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
21
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