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INVESTIGATION OF ANNEALING OF NEUTRON-IRRADIATED n-TYPE SILICON BY THE DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY METHOD.
被引：0
作者：
Vasil'ev, A.V.
Kopshik, I.A.
Smagulova, S.A.
Tsvaigert, M.A.
Shaimeev, S.S.
机构：
来源：
Soviet physics. Semiconductors
|
1983年
/
17卷
/
06期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
7
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页码：729 / 730
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