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PHOTOCONDUCTION IN HEAVILY DOPED COMPENSATED SEMICONDUCTORS.
被引：0
作者：
Osipov, V.V.
Foigel', M.G.
机构：
来源：
Soviet physics. Semiconductors
|
1982年
/
16卷
/
11期
关键词：
Compilation and indexing terms;
Copyright 2025 Elsevier Inc;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
PHOTOCONDUCTIVITY
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页码：1305 / 1308
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