50 nm pattern etching of Si wafer by synchrotron radiation excited CF4 plasma

被引：0

作者：

Inanami, Ryoichi ^{[1
]}

Yamada, Tomoya ^{[1
]}

Ohsaki, Shintaro ^{[1
]}

Ogawa, Shinji ^{[1
]}

Morita, Shinzo ^{[1
]}

机构：

[1] Nagoya Univ, Nagoya, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1997年 / 36卷 / 12 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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