Characteristics of the InAs quantum dots MBE grown on the vicinal GaAs(0 0 1) surfaces misoriented to the [0 1 0] direction

被引：0

作者：

Evtikhiev, V.P. ^{[1
]}

Tokranov, V.E. ^{[1
]}

Kryganovskii, A.K. ^{[1
]}

Boiko, A.M. ^{[1
]}

Suris, R.A. ^{[1
]}

Titkov, A.N. ^{[1
]}

机构：

[1] Ioffe Institute, RAS, 194021, St. Petersburg, Russia

来源：

Journal of Crystal Growth | 1999年 / 201卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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