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Impurity behavior during Si single crystal growth from the melt
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作者
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Izumi, T.
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Izumi, T.
Morita, H.
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Morita, H.
Fujiwara, T.
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Fujiwara, T.
Fujiwara, H.
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Fujiwara, H.
Inami, S.
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Inami, S.
机构
:
来源
:
Materials Science Forum
|
1995年
/ 196-201卷
/ pt 1期
关键词
:
Czochralski method - Necking method - Growth orientations - Growth rate;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
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摘要
:
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