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Impurity behavior during Si single crystal growth from the melt
被引：0
作者：
Izumi, T.
Morita, H.
Fujiwara, T.
Fujiwara, H.
Inami, S.
机构：
关键词：
Czochralski method - Necking method - Growth orientations - Growth rate;
D O I：
暂无
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