Simulation of sub-threshold characteristics in strained SiGe channel PMOSFET

被引：0
作者：
Tu, Jing
Yang, Rong
Luo, Jin-Sheng
Zhang, Rui-Zhi
机构：
[1] Institute of Microelectronics, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China
[2] Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi'an 710024, China
来源：
Dianzi Qijian/Journal of Electron Devices | 2005年 / 28卷 / 03期
关键词：
D O I：
暂无
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摘要：
10
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