GAAS/ALGAAS HETEROJUNCTION EMITTER-DOWN BIPOLAR CIRCUITS FABRICATED ON GAAS-ON-SI SUBSTRATES.

被引：0

作者：

Tran, L.T. ^{[1
]}

Matyi, R.J. ^{[1
]}

Shichijo, H. ^{[1
]}

Yuan, H.T. ^{[1
]}

Lee, J.W. ^{[1
]}

机构：

[1] Texas Instruments Inc, Dallas, TX,, USA, Texas Instruments Inc, Dallas, TX, USA

来源：

| 1600年 / ED-34期

关键词：

GALLIUM ARSENIDE BIPOLAR IC - SILICON WAFERS - SUMMARY FORM ONLY;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用