ANNEALING EFFECTS ON THE RISE TIME OF GAMMA-RAY IRRADIATED Au-Si NUCLEAR DETECTORS.

被引：0

作者：

Ohba, K. ^{[1
]}

Shoji, T. ^{[1
]}

Koga, H. ^{[1
]}

Ito, S. ^{[1
]}

Hiratate, Y. ^{[1
]}

机构：

[1] Tohoku Inst of Technology, Dep of, Electronics, Sendai, Jpn, Tohoku Inst of Technology, Dep of Electronics, Sendai, Jpn

来源：

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暂无

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