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Fabrication of GaN nanostructures by a sidewall-etchback process
被引：0
作者：
机构：
[1] Pearton, S.J.
[2] Ren, F.
[3] Abernathy, C.R.
[4] Lothian, J.R.
来源：
Pearton, S.J.
|
1600年
/
Publ by Institute of Physics Publishing Ltd, Bristol, United Kingdom卷
/
09期
关键词：
Semiconductor device structures;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
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