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STUDY OF THE BEHAVIOUR OF ″HYDROGEN-DEFECTS COMPLEX″ DONOR IN SILICON.
被引：0
作者：
Wang Zhengyuan
Lin Lanying
机构：
来源：
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
|
1982年
/
3卷
/
06期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING SILICON
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页码：440 / 449
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