Silicon oxide deposition into a hole using a focused ion beam

被引：0

作者：

Nakamura, Hiroko ^{[1
]}

Komano, Haruki ^{[1
]}

Norimatu, Kenji ^{[1
]}

Gomei, Yoshio ^{[1
]}

机构：

[1] Toshiba Corp, Kawasaki, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1991年 / 30卷 / 11 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3238 / 3241