Initial growth of GaAs on vicinal Si(111) substrates by molecular-beam epitaxy

被引：0

作者：

Yodo, T. ^{[1
]}

机构：

[1] Tsukuba Research Cent, Ibaraki, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1995年 / 34卷 / 10 A期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用