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Counter-doped surface channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with high current drivability and steep subthreshold slope
被引：0
作者：
Toshiba Corp, Yokohama, Japan
[1
]
机构：
来源：
Jpn J Appl Phys Part 1 Regul Pap Short Note Rev Pap
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10卷
/
5503-5506期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
13
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