Subcubic power dependence of third-harmonic generation for in-plane far-infrared excitation of InAs quantum wells

被引：0

作者：

Markelz, A.G. ^{[1
]}

Asmar, N.G. ^{[1
]}

Gwinn, E.G. ^{[1
]}

Sherwin, M.S. ^{[1
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Nguyen, C. ^{[1
]}

Kroemer, H. ^{[1
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机构：

[1] Univ of California, Santa Barabara, United States

来源：

关键词：

Fundamental intensity - Semiconducting indium arsenide - Subcubic power dependence - Third harmonic generation;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

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