Temperature acceleration of breakdown and quasi-breakdown phenomena in ultra-thin oxides

被引：0

作者：

STMicrolectronics, Central R and D Labs, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles, France ^{[1
]}

不详 ^{[2
]}

机构：

来源：

Microelectron. Reliab. | / 6-7卷 / 815-820期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用