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Gate-oxide integrity in metal-oxide-semiconductor structures with Ti-polycide gates for ULSI applications
被引：0
作者：
Yonsei Univ, Seoul, Korea, Republic of
[1
]
机构：
来源：
Thin Solid Films
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1-2卷
/
56-59期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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