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Backside pulse doped channel heterostructure field-effect transistor: Design, DC, and RF performance
被引：0
作者：
机构：
[1] Dickmann, Juergen
来源：
Dickmann, Juergen
|
1600年
/
32期
关键词：
Field effect transistors;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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