Monte carlo simulation of electron scattering trajectories in low-energy electron beam lithography

被引：0

作者：

Ren, Li-Ming ^{[1
]}

Chen, Bao-Qin ^{[1
]}

机构：

[1] R and D Cent. of Microelectron., Chinese Acad. of Sci., Beijing 100029, China

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 2001年 / 22卷 / 12期

关键词：

Bethe formula - Low energy electron scattering - Mott cross section - Multilayer and polybasic medium;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1519 / 1524