Theoretical investigation of the potential for inter-surface migration of Ga adatoms between GaAs(001) and (111)B surfaces

被引：0

作者：

NTT System Electronics Lab, Kanagawa, Japan ^{[1
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机构：

来源：

Jpn J Appl Phys Part 2 Letter | / 5 A卷 / L488-L491期

关键词：

D O I：

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