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Impact ionization and light emission in GaAs metal-semiconductor field effect transistors
被引：0
|作者：
机构：
[1] Neviani, A.
[2] Tedesco, C.
[3] Zanoni, E.
[4] Canali, C.
[5] Manfredi, M.
[6] Cetronio, A.
来源：
Neviani, A.
|
1600年
/
American Inst of Physics, Woodbury, NY, United States卷
/
74期
关键词：
MESFET devices;
D O I：
暂无
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学科分类号：
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