VELOCITY SATURATION EFFECT ON SHORT-CHANNEL MOS TRANSISTOR CAPACITANCE.

被引：0

作者：

Iwai, H. ^{[1
]}

Pinto, M.R. ^{[1
]}

Rafferty, C.S. ^{[1
]}

Oristian, J.E. ^{[1
]}

Dutton, R.W. ^{[1
]}

机构：

[1] Stanford Univ, Integrated Circuits, Lab, Stanford, CA, USA, Stanford Univ, Integrated Circuits Lab, Stanford, CA, USA

来源：

Electron device letters | 1985年 / EDL-6卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

TRANSISTORS

引用

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