AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor using Pd/Ge ohmic contact

被引：0

作者：

Lee, J.-L. ^{[1
]}

Kim, Y.-T. ^{[1
]}

Oh, J.-W. ^{[1
]}

Lee, B.-T. ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Materials Science, Pohang Univ. of Sci. of Technology, Pohang, Kyungbuk 790-784, Korea, Republic of

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 2001年 / 40卷 / 3 A期

关键词：

D O I：

10.1143/jjap.40.1188

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1188 / 1193