Issues in the ion implantation of Si for GaAs applications

被引：0

作者：

Varian Ion Implant Systems, 35 Dory Rd., Gloucester, MA 01930, United States ^{[1
]}

机构：

来源：

III-Vs Review | 1997年 / 10卷 / 02期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：26 / 31