Consistent physical model for the gate-leakage and breakdown in InAlAs/InGaAs HFET's

被引：0

作者：

Gerhard-Mercator-Univ Duisburg, Duisburg, Germany ^{[1
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机构：

来源：

Conf Proc Int Conf Indium Phosphide and Relat Mater | / 439-442期

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D O I：

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