MULTI-DAY DYNAMIC STORAGE OF HOLES AT THE AlAs/GaAs INTERFACE.

被引：0

作者：

Qian, Q.-D. ^{[1
]}

Melloch, Michael R. ^{[1
]}

Cooper Jr., James A. ^{[1
]}

机构：

[1] Purdue Univ, West Lafayette, IN, USA, Purdue Univ, West Lafayette, IN, USA

来源：

Electron device letters | 1986年 / EDL-7卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/edl.1986.26490

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Data storage, Semiconductor

引用

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