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- [1] JAHN-TELLER EFFECT FOR IMPURITY IONS WITH 3d4 ELECTRON CONFIGURATION IN SEMICONDUCTING III-V COMPOUNDS.Soviet physics. Semiconductors, 1980, 14 (03): : 317 - 320Andrianov, D.G.Savel'ev, A.S.
PROFILE OF THE ABSORPTION EDGE OF VARIABLE-GAP STRUCTURES MADE OF III-V SEMICONDUCTOR COMPOUNDS.
被引：0
|作者：
Morozov, B.V.
Bolkhovityanov, Yu.B.
Gabaraev, R.S.
Kravchenko, A.F.
Yudaev, V.I.
机构：
来源：
Soviet physics. Semiconductors
|
1980年
/
14卷
/
08期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTOR DEVICES
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页码：883 / 886
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